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基本的半(ban)導體器件(jian)2.代氧化(hua)硅MOSFET系列表新貨依(yi)據64英寸晶圓服(fu)務平臺(tai)開發技術，比(bi)上一場(chang)代護膚品在(zai)比(bi)導通電(dian)阻器、電(dian)開關衰減或是信得(de)過性等這(zhe)方(fang)面呈現愈(yu)來愈(yu)出眾。
應用層面：氫能(neng)開發車子伺服電(dian)(dian)機(ji)(ji)管控器、車載影音供(gong)電(dian)(dian)適配(pei)器、光(guang)伏發電(dian)(dian)變逆器、光(guang)儲(chu)合(he)一機(ji)(ji)、快速新能(neng)源充電(dian)(dian)樁、UPS、PFC供(gong)電(dian)(dian)適配(pei)器等行業。
軟件優勢可言
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| 更低比導通電阻器 | 更低元器件啟閉損耗量 | 更為重要穩定性 | 挺高作業結溫 |
無定形碳硅MOSFET
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Generation |
Voltage |
RDS(on) |
TO-247-3 |
TO-247-4 |
TO-247PLUS-4 |
TO-263-7 |
SOT-227 |
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Gen 2 |
1200V |
160mΩ |
B2M160120H |
B2M160120Z |
B2M160120R |
樣件申請書 | ||
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80mΩ |
B2M080120H |
B2M080120Z |
B2M080120R |
樣品管理申請書 | ||||
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65mΩ |
B2M065120H |
B2M065120Z |
B2M065120R |
樣件申報 | ||||
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40mΩ |
B2M040120H |
B2M040120Z |
B2M040120R |
備樣申請辦理 | ||||
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35mΩ |
B2M035120YP |
樣品英文辦理 | ||||||
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20mΩ |
*B2M020120H |
*B2M020120Z |
B2M020120Y |
*B2M020120R |
*B2M020120N |
試樣報名 | ||
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12mΩ |
B2M012120N |
樣品英文申請 | ||||||
| Gen 1 |
1200V | 160mΩ | B1M160120HC | 檢樣個人申請 | ||||
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80mΩ |
B1M080120HC | B1M080120HK | 供試品伸請 | |||||
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32mΩ |
B1M032120HC |
B1M032120HK |
試品注冊 |
Note1：帶 * 標記產品規劃中
Note2：第一代碳化硅MOSFET：不建議在新設計上使用
Note3：點擊藍色型號可下載規格書
混合碳化硅分立器件
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品牌詳情介紹
基本的半導混后無定形碳硅分立元器將最新型場截止日期IGBT技藝和(he)(he)增(zeng)碳(tan)硅(gui)(gui)肖特(te)基(ji)(ji)穩(wen)(wen)壓(ya)管技藝相(xiang)配合，為硬面(mian)板(ban)(ban)面(mian)板(ban)(ban)開關拓撲結構打造出好幾(ji)回個衡量(liang)品味和(he)(he)可(ke)玩性的(de)計劃。該(gai)元器(qi)將過去(qu)(qu)的(de)的(de)硅(gui)(gui)基(ji)(ji)IGBT和(he)(he)增(zeng)碳(tan)硅(gui)(gui)肖特(te)基(ji)(ji)穩(wen)(wen)壓(ya)管合封，在個部分應(ying)(ying)用中就能(neng)夠(gou)混用過去(qu)(qu)的(de)的(de)IGBT（硅(gui)(gui)基(ji)(ji)IGBT與硅(gui)(gui)基(ji)(ji)快回復穩(wen)(wen)壓(ya)管合封），使IGBT的(de)面(mian)板(ban)(ban)面(mian)板(ban)(ban)開關消耗逐年影響(xiang)，應(ying)(ying)用在于儲蓄能(neng)量(liang)（ESS）、車載(zai)影音進行電(dian)(dian)池充電(dian)(dian)器(qi)產品（OBC）、持續性開關電(dian)(dian)源（UPS）、光伏發電(dian)(dian)組串逆變電(dian)(dian)源等鄰(lin)域。
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