碳化硅肖特基二極管
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碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能。氧化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界點場(3×106V/cm)和高導熱性指數公式(4.9W/cm·K)導致工做電壓半導體制造行業芯片功率器件工做效應高,執行線速度速度快,但是在機 的成本預算、比熱容、權重等角度都到了縮減。最基本半導體制造行業芯片無定形碳硅肖特基肖特基二極管,作為制造行業規范封裝,兼具優質的效能和很高的工做工做效應。 設備特色
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