工業級全碳化硅功率模塊

Pcore^TM2 E2B 全氫氟酸處理硅半橋MOSFET功能

常見半導體器件退出EasyPACK™ 2B打包封裝的產業級全炭化硅MOSFET電機功率模組Pcore™2 E2B，該(gai)品牌針對高安全性(xing)能 6英尺晶圓(yuan)手機平臺制(zhi)定，在(zai)比導通(tong)電(dian)阻器、旋轉開關耗損、抗坑騙通(tong)、抗雙旋光性(xing)衰退(tui)等管理(li)方面行為突出。

軟件主要優勢

- 高晶圓靠得住性

新式內部結構塑造甚大控制了炭化硅單晶體異常現象引致的R_DS(on)蛻化。

- 非常(chang)好的(de)抗噪優點(dian)

寬柵-源(yuan)電壓值條件（V_GS: -10V~+25V），及高閾值法端電壓（V_GS(th).typ: 4V），能夠柵極驅動安裝規劃。

-高熱量的性能(neng)及(ji)高封(feng)裝(zhuang)形式靠普(pu)性

性能卓越參數氮化(hua)硅AMB陶瓷(ci)圖片的基板(ban)及高溫高壓焊(han)料獲取，調節的溫度重復的CTE失配(pei)，瓷(ci)質(zhi)板(ban)的靠得住(zhu)性急劇(ju)發展。

技術應(ying)用(yong)范疇：燃油新能(neng)源(yuan)充電樁DCDC、數值基地UPS、大額定功率很快(kuai)新能(neng)源(yuan)充電樁樁等。

 

主要參數匯總

Part No.	VDSS (V)	RDS(on) (mΩ) @ 25℃	IDnom (A)	VGS(op) (V)
BMF240R12E2G3	1200	5‍.5	2‍40	+18/-4
	VGS(th) (V)	VSD (V)	QG (nC)	Pin-Type
	4.0	1.35	492	Press-Fit